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Silicon Heterostructure Devices (Cressler, John D.)
Silicon Heterostructure Devices
Autor Cressler, John D.
Verlag Taylor & Francis
Sprache Englisch
Mediaform PDF
Erscheinungsjahr 2018
Seiten 472 S.
Artikelnummer 18422425
ISBN 978-1-4200-6691-3
Plattform PDF
Kopierschutz DRM Adobe
CHF 88.35
Zusammenfassung
SiGe HBTs are the most mature of the Si heterostructure devices and not surprisingly the most completely researched and discussed in the technical literature. However, new effects and nuances of device operation are uncovered year-after-year as transistor scaling advances and application targets march steadily upward in frequency and sophistication. Providing a comprehensive treatment of SiGe HBTs, Silicon Heterostructure Devices covers an amazingly diverse set of topics, ranging from basic transistor physics to noise, radiation effects, reliability, and TCAD simulation. Drawn from the comprehensive and well-reviewed Silicon Heterostructure Handbook, this text explores SiGe heterojunction bipolar transistors (HBTs), heterostructure FETs, various other heterostructure devices, as well as optoelectronic components. The book provides an overview, characteristics, and derivative applications for each device covered. It discusses device physics, broadband noise, performance limits, reliability, engineered substrates, and self-assembling nanostructures. Coverage of optoelectronic devices includes Si/SiGe LEDs, near-infrared detectors, photonic transistors for integrated optoelectronics, and quantum cascade emitters. In addition to this substantial collection of material, the book concludes with a look at the ultimate limits of SiGe HBTs scaling. It contains easy-to-reference appendices on topics including the properties of silicon and germanium, the generalized Moll-Ross relations, and the integral charge-control model, and sample SiGe HBT compact model parameters.

Drawn from the comprehensive and well-reviewed Silicon Heterostructure Handbook, this text highlights the most mature and, not surprisingly, the most researched, silicon-based heterostructure devices. These are divided into four sections: SiGe heterojunction bipolar transistors (HBTs), heterostructure FETs, other heterostructure devices, and optoelectronic components. Topics include device physics, broadband noise, performance limits, reliability, engineered substrates, and self-assembling nanostructures. Coverage of optoelectronic devices includes LEDS, near-infrared detectors, photonic transistors for integrated optoelectronics, and quantum cascade emitters.

John D. Cressler